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申请/专利权人：学校法人关西学院
申请日：2017-04-27
公开（公告）日：2024-06-11
公开（公告）号：CN111968902B
主分类号：H01J37/20
分类号：H01J37/20;H01J37/22;H01J37/26;H01J37/28;G01N1/00
优先权：["20160427 JP 2016-089094"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.11#授权;2020.12.08#实质审查的生效;2020.11.20#公开
摘要：本发明提供一种具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价方法，其特征在于：包括：使用扫描型电子显微镜，基于以相对于作为所述SiC基板的表面的0001面的垂线倾斜的入射电子角对该SiC基板的表面入射电子束而获得的影像，来评价所述SiC基板的质量的步骤，所述SiC基板以支撑于倾斜支撑台的状态被照射电子束，所述倾斜支撑台的支撑面具有与所述SiC基板的偏角相同的倾斜角。
主权项：1.一种在具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价中使用的获取SiC基板的影像的方法，其特征在于：包括：使用扫描型电子显微镜，对该SiC基板的表面入射电子束而获得的影像的步骤，以将所述影像用于评价所述SiC基板的质量，其中，以相对于作为所述SiC基板的表面的0001面的垂线倾斜的入射电子角对该SiC基板的表面入射电子束，所述SiC基板以支撑于倾斜支撑台的状态被照射电子束，所述倾斜支撑台的支撑面具有与所述SiC基板的偏角相同的倾斜角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 学校法人关西学院 具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价方法
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