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申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日：2022-12-29
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198057A
主分类号：H01L27/02
分类号：H01L27/02;H01L21/28
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明公开了一种自保护屏蔽栅极功率器件漏极正面引出结构及其制造方法，利用深槽刻蚀工艺、槽底氧化层刻蚀技术以及多晶硅填充技术相互结合的方式将SGT的漏极引到器件的正面。本发明将自保护功率器件与SGTMOS结合，通过制造工艺将自保护SGTMOT与各种保护线路集成整合在一颗芯片上，解决了技术难点，实现自保护线路的工艺兼容性，实现了电路模块与功率模块高度集成化。
主权项：1.一种自保护屏蔽栅极功率器件漏极正面引出结构，其特征在于：利用深槽刻蚀工艺、槽底氧化层刻蚀技术以及多晶硅填充技术相互结合的方式，将SGT的漏极引到器件的正面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 龙腾半导体股份有限公司 自保护屏蔽栅极功率器件漏极正面引出结构及其制造方法
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