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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198865A
主分类号：H01S5/34
分类号：H01S5/34;H01S5/343
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明涉及一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法，属于光电子技术领域。由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、第一量子阱、第一垒层、第二量子阱、第二垒层、第三量子阱、第三垒层、第四量子阱、第四垒层、第五量子阱、上波导层、上限制层A、腐蚀阻挡层、上限制层B、带隙过渡层和帽层；本发明采用张应变及压应变交替生长的混合多量子阱实现TE模式和TM模式增益平衡，进而实现与偏振无关的红光半导体光放大器，同时利用垒层交替补偿，平衡有源区应力，避免晶格常数差异对量子阱生长质量的影响。
主权项：1.一种混合应变量子阱半导体光放大器，其特征在于，由下至上依次包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、Gax3In1-x3P第一量子阱、（Alx4Ga1-x4）y2In1-y2P第一垒层、Gax5In1-x5P第二量子阱、（Alx6Ga1-x6）y3In1-y3P第二垒层、Gax7In1-x7P第三量子阱、（Alx8Ga1-x8）y4In1-y4P第三垒层、Gax9In1-x9P第四量子阱、（Alx10Ga1-x10）y5In1-y5P第四垒层、Gax11In1-x11P第五量子阱、上波导层、上限制层A、腐蚀阻挡层、上限制层B、带隙过渡层和帽层；其中，0.35≤x3≤0.5，0.35≤x4≤0.55，0.55≤x5≤0.65，0.35≤x6≤0.55，0.35≤x7≤0.5，0.35≤x8≤0.55，0.55≤x9≤0.65，0.35≤x10≤0.55，0.35≤x11≤0.5；0.52≤y2≤0.6，0.4≤y3≤0.52，0.52≤y4≤0.6，0.4≤y5≤0.52；x3、x7、x11取值小于0.5，为压应变量子阱，厚度小于4nm，TE模式占主导地位，x5、x9取值大于0.55，为张应变量子阱，厚度大于10nm，TM模式占主导地位；y2、y4取值大于0.52，垒层受张应变，y3、y5取值小于0.52，垒层受压应变。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种混合应变量子阱半导体光放大器及其制备方法
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