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申请/专利权人：南京光智元科技有限公司
申请日：2022-12-12
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118192017A
主分类号：G02B6/42
分类号：G02B6/42;B81C1/00;B81B7/02;B81B7/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：本发明提供了一种封装结构及其制作方法，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，针对每个第一半导体芯片，在对应覆盖光耦合区的一个第二半导体芯片或者一个伪芯片上制作微透镜，以对输入至所述光耦合区内用于光耦合的光线进行矫正；同时针对对应覆盖所述光耦合区的所述第二半导体芯片或者所述伪芯片，该第二半导体芯片的基材或者该伪芯片的基材对预设波长的光具有透光属性。由于微透镜能够起到将入射到所述微透镜的光汇聚到光耦合接口的作用，因此，极大地降低了后续的光学耦合精度的要求，同时也提升了面耦合过程的作业效率，且对贴片设备的贴片对准公差的容忍值更高。
主权项：1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，每个所述第一半导体芯片具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有光耦合区以及围绕所述光耦合区的非光耦合区，所述光耦合区内设置有光耦合接口；针对每个所述第一半导体芯片，提供与该第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片，并将所述至少一个第二半导体芯片固定在该第一半导体芯片的所述第一表面上；其中，在与该第一半导体芯片对应的一个第二半导体芯片上设置有虚设区，所述虚设区为不设置有电路的区域，所述虚设区的形状与所述光耦合区的形状相适应，以及将该第二半导体芯片的所述虚设区对应覆盖在所述光耦合区上方，同时针对对应覆盖所述光耦合区的所述第二半导体芯片，该第二半导体芯片的基材对预设波长的光具有透光属性；制作塑封层，并使所述塑封层露出每个所述第二半导体芯片背离所述第一半导体芯片的一侧表面；针对每个所述第一半导体芯片，在对应所述光耦合区的一个第二半导体芯片上的所述虚设区上制作第一微透镜，以对输入至所述光耦合区内用于光耦合的光线进行矫正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京光智元科技有限公司 封装结构及其制作方法
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