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【发明公布】薄膜覆晶封装结构_南茂科技股份有限公司_202310149127.9 

申请/专利权人:南茂科技股份有限公司

申请日:2023-02-22

公开(公告)日:2024-06-14

公开(公告)号:CN118198024A

主分类号:H01L23/498

分类号:H01L23/498;H01L23/28

优先权:["20221212 TW 111147636"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.14#公开

摘要:一种薄膜覆晶封装结构,包括可挠式线路基板、芯片以及底部填充胶。可挠式线路基板具有芯片接合区且包括可挠式衬底、多个引脚以及支撑图案。引脚设置于可挠式衬底且自芯片接合区内向外延伸。支撑图案设置于可挠式衬底且位于芯片接合区内。支撑图案具有多个彼此独立的孔洞。芯片包括多个凸块。芯片设置于芯片接合区且凸块对应接合引脚。底部填充胶至少填充于芯片与可挠式线路基板之间并覆盖支撑图案。底部填充胶定义有气泡尺寸容许值,其中各孔洞的最大尺寸不大于气泡尺寸容许值。

主权项:1.一种薄膜覆晶封装结构,包括:可挠式线路基板,具有芯片接合区,且所述可挠式线路基板包括:可挠式衬底;多个引脚,设置于所述可挠式衬底,所述引脚自所述芯片接合区内向外延伸;以及支撑图案,设置于所述可挠式衬底且位于所述芯片接合区内,所述支撑图案具有多个彼此独立的孔洞;芯片,包括多个凸块,所述芯片设置于所述芯片接合区且所述凸块对应接合所述引脚;以及底部填充胶,至少填充于所述芯片与所述可挠式线路基板之间并覆盖所述支撑图案,所述底部填充胶定义有一气泡尺寸容许值,其中各所述孔洞的最大尺寸不大于所述气泡尺寸容许值。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 南茂科技股份有限公司 薄膜覆晶封装结构

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