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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198066A
主分类号：H01L27/092
分类号：H01L27/092;H01L23/528;H01L23/50;H01L27/02
优先权：["20230224 US 63/486,739","20230628 US 18/343,339"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：一种集成电路IC器件包括互补场效晶体管CFET器件、位于CFET器件的第一侧处的电源轨以及位于CFET器件的第二侧处的导体。所述CFET器件包括局部互连件。所述第一侧是CFET器件的前侧及背侧中的一个。所述第二侧是CFET器件的前侧及背侧中的另一个。所述CFET器件的局部互连件将电源轨电耦合至导体。本申请的实施例还提供了集成电路器件制造系统。
主权项：1.一种集成电路器件，包括：互补场效晶体管器件，所述互补场效晶体管器件包括局部互连件；电源轨，位于所述互补场效晶体管器件的第一侧处；以及导体，位于所述互补场效晶体管器件的第二侧处，其中所述第一侧是所述互补场效晶体管器件的前侧或背侧中的一个，所述第二侧是所述互补场效晶体管器件的所述前侧或所述背侧中的另一个，并且所述互补场效晶体管器件的所述局部互连件将所述电源轨电耦合至所述导体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路器件及其制造系统
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