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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2023-12-13
公开（公告）日：2024-06-14
公开（公告）号：CN118198101A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
优先权：["20221213 US 18/080427"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.14#公开
摘要：公开了具有场终止结构和电荷平衡结构的半导体器件以及生产半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有包括多个器件单元的有源器件区和在有源器件区与半导体衬底的边缘之间的终止区；场终止结构，其在终止区中并且包括第一导电类型的连续区和在连续区中的并且具有比连续区高的平均掺杂浓度的第一导电类型的多个环；和电荷平衡结构，其在有源器件区中并且包括第一导电类型和与第一导电类型相反的第二导电类型的交错的纵列。电荷平衡结构延伸到场终止结构下方的终止区中，使得第一导电类型的纵列中的至少最外纵列被连接到场终止结构的连续区。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有：包括多个器件单元的有源器件区；以及在有源器件区与半导体衬底的边缘之间的终止区；场终止结构，其在终止区中并且包括第一导电类型的连续区和在连续区中的并且具有比连续区高的平均掺杂浓度的第一导电类型的多个环；和电荷平衡结构，其在有源器件区中并且包括第一导电类型和与第一导电类型相反的第二导电类型的交错的纵列，其中电荷平衡结构延伸到场终止结构下方的终止区中，使得第一导电类型的纵列中的至少最外纵列被连接到场终止结构的连续区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有场终止结构和电荷平衡结构的半导体器件以及生产半导体器件的方法
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