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申请/专利权人：天津大学
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN118206110A
主分类号：C01B32/194
分类号：C01B32/194;C01B32/182;B82Y40/00;H01L29/16;H10N52/00;H10N52/85
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.18#公开
摘要：本发明提供了一种带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法。可以应用于半导体器件制造技术领域或半导体器件处理技术领域。该半导体石墨烯为单晶，半导体石墨烯的晶畴宽度和长度均大于等于1微米，且生长在碳化硅衬底表面，半导体石墨烯的带隙在大于0.6eV且小于等于1.2eV的范围内可调。本发明还提供了一种由带隙可调的半导体石墨烯制成的电子器件以及该电子器件的制备方法。
主权项：1.一种带隙可调的半导体石墨烯，其特征在于，该半导体石墨烯为单晶，所述半导体石墨烯的晶畴宽度和长度均大于等于1微米，且生长在碳化硅衬底表面，所述半导体石墨烯的带隙在大于0.6eV且小于等于1.2eV的范围内可调。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法
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皖公网安备 34010402703815号