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申请/专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日：2023-06-16
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN116864566B
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0203;H01L31/16
优先权：["20230424 CN 2023104476815"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权;2023.10.27#实质审查的生效;2023.10.10#公开
摘要：本发明公开了一种光电传感器封装结构及其制备方法，该结构包括基板、至少一个光电传感器单元和塑封部，所述光电传感器单元通过第二晶粒粘贴膜设置在基板上，所述光电传感器单元包括光发射芯片和光接收芯片；所述光发射芯片和光接收芯片的顶面设有高透光的第一晶粒粘贴膜，所述塑封部包裹光发射芯片、光接收芯片及第一晶粒粘贴膜的所有侧面，且使第一晶粒粘贴膜的上表面裸露。本发明公开的上述封装结构的制备方法，整个工艺流程简单易操作，结合高透光的第一晶粒粘贴膜和不透光的塑封料对芯片进行封装，结构创新，成本较低，且能够很好的隔绝芯片之间的干扰光。
主权项：1.光电传感器封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供基板和设于基板一侧的至少一个光电传感器单元，所述光电传感器单元包括光发射芯片和光接收芯片；提供高透光的第一晶粒粘贴膜，所述第一晶粒粘贴膜上表面设有环氧树脂层，按照光发射芯片和光接收芯片的尺寸对第一晶粒粘贴膜进行切割；S2、在所述光发射芯片、光接收芯片通过引线键合连接到基板后，将切割后的第一晶粒粘贴膜的下表面分别连接至相同尺寸的光发射芯片或者光接收芯片的顶面；在引线键合作业结束后，对基板进行加热，在温度100-150℃时，再进行第一晶粒粘贴膜的安装；基板在温度100-150℃时，线弧具有一定温度，具有温度的线弧软化安装过程中的第一晶粒粘贴膜，保证线弧不塌陷；S3、对所述第一晶粒粘贴膜烘烤固化后，利用不透光塑封料对光发射芯片、光接收芯片进行塑封，形成塑封部；S4、研磨塑封部顶部和环氧树脂层，直至第一晶粒粘贴膜的上表面裸露，第一晶粒粘贴膜的上表面不会有黑色塑封料的残留；使第一晶粒粘贴膜的上表面粗糙度位于0.1-0.6um之间；所述塑封部在光发射芯片和光接收芯片之间形成不透光的阻挡墙；环氧树脂层需要全部研磨掉，其只是为了便于第一晶粒粘贴膜的安装；所述第一晶粒粘贴膜为117-123um厚度，透光率大于95%的热固性晶粒粘贴膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏芯德半导体科技有限公司 光电传感器封装结构及其制备方法
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