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申请/专利权人：株式会社国际电气
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，课题为提高在衬底上形成的氧化膜的特性。半导体器件的制造方法具有将非同时进行下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有X的氧化膜的工序：a向衬底供给具有在中心原子X上键合有第1基团和第2基团的分子结构且第1基团与X的键能高于第2基团与X的键能的原料，在衬底上形成含有在X上键合有第1基团的成分的第1层的工序；和b向衬底供给氧化剂，使第1层氧化，形成含有X的第2层的工序，在a中，在第1基团不从原料中所含的X脱离而第2基团脱离并且第2基团脱离且与第1基团的键合被维持的状态的X向衬底的表面吸附的条件下供给原料。
主权项：1.半导体器件的制造方法，其具有将包括下述工序的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有X的氧化膜的工序：a向衬底供给原料，在所述衬底上形成含有在所述X上键合有第1基团的成分的第1层的工序，所述原料为具有在原子X上键合有包含烷氧基的第1基团和包含氨基、烷基、卤代基、羟基、氢基、芳基、乙烯基及硝基中的至少任一者的第2基团的分子结构且所述第1基团与所述X的键能高于所述第2基团与所述X的键能的原料；和b向所述衬底供给氧化剂，使所述第1层氧化，形成含有所述X的第2层的工序，在a中，在所述第1基团不从所述原料中所含的所述X脱离而所述第2基团脱离、并且所述第2基团脱离且与所述第1基团的键合被维持的状态的所述X向所述衬底的表面吸附的条件下，供给所述原料。
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百度查询： 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质
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