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申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日：2023-10-31
公开（公告）日：2024-06-18
公开（公告）号：CN221176251U
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/20;H01L33/14;H01L33/38;H01L23/60
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.18#授权
摘要：本实用新型提供一种发光二极管，包括：自下向上的衬底、第一n型GaN层、非掺杂GaN层、第二n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层；贯穿p型GaN层、多量子阱层、第二n型GaN层和非掺杂GaN层并暴露出第一n型GaN层的第一通孔，贯穿暴露出的第二n型GaN层和非掺杂GaN层并暴露出第一n型GaN层的第二通孔；第一介质层，位于第一通孔和第二通孔的侧壁上；填充于第一通孔中的第一金属层，填充于第二通孔中的第二金属层，第一金属层与第一n型GaN层形成欧姆接触，第二金属层与第一n型GaN层形成肖特基接触。本实用新型能够在不增加器件数量的前提下，使得发光二极管主动防静电，以最大程度的提高抗静电能力，增加发光二极管的良率和寿命。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：自下向上的衬底、第一n型GaN层、非掺杂GaN层和外延层，所述外延层包括自下向上的第二n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层，所述外延层的边缘形成有台阶，所述台阶贯穿所述p型GaN层和所述多量子阱层并暴露出所述第二n型GaN层；第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述台阶的上台阶面的所述p型GaN层、所述多量子阱层、所述第二n型GaN层和所述非掺杂GaN层并暴露出所述第一n型GaN层，所述第二通孔贯穿所述台阶的下台阶面的所述第二n型GaN层和所述非掺杂GaN层并暴露出所述第一n型GaN层；第一介质层，位于所述第一通孔和所述第二通孔的侧壁上；第一金属层和第二金属层，所述第一金属层填充于所述第一通孔中，所述第二金属层填充于所述第二通孔中，所述第一金属层与所述第一n型GaN层形成欧姆接触，所述第二金属层与所述第一n型GaN层形成肖特基接触；第一电极层和第二电极层，所述第一电极层位于所述p型GaN层上且与所述第一金属层和所述p型GaN层电连接，所述第二电极层位于所述第二n型GaN层上且与所述第二金属层和所述第二n型GaN层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管
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