龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2023-08-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234230A
主分类号：H10B41/35
分类号：H10B41/35;H10B41/41;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/27;H10B80/00
优先权：["20221219 KR 10-2022-0178413"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：公开了一种半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置可以包括：栅极堆叠体，包括交替地堆叠在彼此顶部上的绝缘图案和导电图案；存储器沟道结构，穿透栅极堆叠体；选择线结构，在栅极堆叠体上；以及选择沟道结构，穿透选择线结构。存储器沟道结构包括绝缘覆盖层、包围绝缘覆盖层的存储器沟道层以及包围存储器沟道层的存储器层。选择沟道结构可以包括电连接到存储器沟道层的选择沟道层和包围选择沟道层的选择绝缘结构。选择沟道层可以包括在存储器沟道结构上的连接部和在连接部上的柱部，连接部中的晶粒的平均尺寸可以小于柱部中的晶粒的平均尺寸。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：栅极堆叠体，包括交替地堆叠在彼此的顶部上的绝缘图案和导电图案；存储器沟道结构，穿透栅极堆叠体；选择线结构，在栅极堆叠体上；以及选择沟道结构，穿透选择线结构，其中，存储器沟道结构包括绝缘覆盖层、包围绝缘覆盖层的存储器沟道层以及包围存储器沟道层的存储器层，选择沟道结构包括电连接到存储器沟道层的选择沟道层和包围选择沟道层的选择绝缘结构，选择沟道层包括在所述存储器沟道结构上的连接部和在连接部上的柱部，并且连接部中的晶粒的平均尺寸小于柱部中的晶粒的平均尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置和包括该半导体装置的电子系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号