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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2022-12-19
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234245A
主分类号：H10B61/00
分类号：H10B61/00
优先权：
专利状态码：失效-公开
法律状态：2024.06.21#公开;2024.06.21#发明专利申请公布后的撤回
摘要：本申请实施例提供一种磁随机存储阵列、电子设备、存储器及其制造方法，用于解决MRAM写操作失败的问题。该存储阵列包括：衬底、第一电极、第二电极、隧道结、第一保护层和第二保护层；第一保护层和第二保护层设置在隧道结的不同侧表面，能够提供给隧道结不同的应力，隧道结在分布不均匀的应力的作用下，铁磁层的磁化方向能够朝向特定方向。通过调整第一保护层和第二保护层的应力，能够获得具有特定取向的应力梯度。这样，通过设置两种不同的保护层，能够更加方便的调节固定层的应力梯度，提高固定层的翻转势垒，固定层的磁矩方向不易发生改变，保证写操作的正确率，提升数据存储的稳定性。
主权项：1.一种磁随机存储阵列，其特征在于，包括：衬底、第一电极、第二电极、隧道结、保护层；所述第一电极设置在所述衬底上，所述第二电极设置在所述第一电极远离所述衬底的一侧；所述隧道结设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述隧道结的垂直于所述衬底的侧面上均形成有保护层；其中，所述保护层包括第一保护层和第二保护层；所述第一保护层作用于所述隧道结的应力与所述第二保护层作用于所述隧道结的应力不同；所述隧道结的垂直于所述衬底的所述侧面包括毗邻的第一表面和第二表面，所述第一表面上形成有所述第一保护层，所述第二表面上形成有所述第二保护层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 一种磁随机存储阵列、电子设备、存储器及其制造方法
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