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申请/专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日：2022-12-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118232166A
主分类号：H01S5/10
分类号：H01S5/10;H01S5/125;H01S5/34
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种多有源区级联布拉格反射波导边发射半导体激光器，从下至上依次包括衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、级联多有源区、P型波导层、P型包层和盖层，所述波导层采用高、低折射率层周期排列组成的布拉格反射波导结构，所述级联多有源区包括多个有源区、多个隧道结及限制层。该激光器的基模近场由周期性振荡峰组成，包络接近高斯分布，在级联多有源区附近具有大摆幅振荡峰，有源区位于基模近场的波峰处，在基模近场的波谷低光强处插入隧穿结，使多有源区共用大尺寸基模工作波导，可有效降低光损耗及驱动电压，实现高功率、高光束质量、低发散角激光输出。
主权项：1.一种多有源区级联布拉格反射波导边发射半导体激光器，从下至上依次包括：衬底、缓冲层、N型包层、N型波导层、级联多有源区、P型波导层、P型包层、盖层，其特征在于，所述N型波导层和所述P型波导层均为高、低折射率层周期交替生长组成的布拉格反射波导；所述级联多有源区包括：多个有源区、多个隧穿结及限制层，所述有源区和所述隧穿结均位于所述限制层内，所述隧穿结位于相邻两个所述有源区之间；所述有源区位于基模近场的波峰位置，所述隧穿结位于基模近场的波谷位置，所有的所述有源区共用同一波导。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉光半导体科技有限公司 一种多有源区级联布拉格反射波导边发射半导体激光器
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