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垂直腔面发射激光器及其制造方法 

申请/专利权人:芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日:2024-04-08

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118249195A

主分类号:H01S5/042

分类号:H01S5/042;H01S5/183

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制造方法,垂直腔面发射激光器的制造方法包括:提供一衬底,所述衬底上形成有外延层;形成沟槽于所述外延层中;形成保护层于所述沟槽的内壁上,且所述保护层延伸至所述沟槽外围的部分所述外延层上;形成种子层覆盖于所述外延层和所述保护层上,所述种子层位于所述外延层上的部分作为欧姆接触层;形成电极层于所述种子层上。本发明的技术方案在实现良好的欧姆接触的同时,还简化了工艺步骤且降低了成本。

主权项:1.一种垂直腔面发射激光器的制造方法,其特征在于,包括:提供一衬底,所述衬底上形成有外延层;形成沟槽于所述外延层中;形成保护层于所述沟槽的内壁上,且所述保护层延伸至所述沟槽外围的部分所述外延层上;形成种子层覆盖于所述外延层和所述保护层上,所述种子层位于所述外延层上的部分作为欧姆接触层;形成电极层于所述种子层上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 垂直腔面发射激光器及其制造方法

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