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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;张江国家实验室
申请日：2022-12-21
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118226582A
主分类号：G02B6/136
分类号：G02B6/136;G02B6/13;G02B6/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种硅光耦合端面的形成方法，包括：在完成硅光金属互连工艺后，在金属互连层间介质层的表面上形成光栅开口，并填满第一光刻材料层；去除位于光栅开口以外的第一光刻材料层，实现平坦化表面；在金属互连层间介质层和第一光刻材料层的平坦化表面上形成平坦化的第二光刻材料层；在第二光刻材料层表面上形成满足规则要求厚度的第三光刻材料层；在第三光刻材料层上形成光刻窗口，并向下刻蚀形成底部停止在衬底中的端面开口；去除剩余的第一光刻材料层至第三光刻材料层材料。本发明可使用晶圆制造级的设备、材料和工艺，实现硅光耦合端面的两次图形化，降低了成本。
主权项：1.一种硅光耦合端面的形成方法，其特征在于，包括：提供具有衬底、前道介质层和金属互连层间介质层的硅光器件结构；在所述金属互连层间介质层的表面上形成光栅开口；在所述金属互连层间介质层的表面上形成将所述光栅开口填满的第一光刻材料层；去除位于所述光栅开口以外的所述第一光刻材料层，使位于所述光栅开口中的所述第一光刻材料层形成与所述金属互连层间介质层表面相一致的平坦化表面；在所述金属互连层间介质层和所述第一光刻材料层表面上形成平坦化的第二光刻材料层；在所述第二光刻材料层表面上形成满足规则要求厚度的第三光刻材料层；在所述第三光刻材料层上形成光刻窗口，并以所述光刻窗口向下刻蚀，形成底部停止在所述衬底中的端面开口；去除剩余的所述第一光刻材料层至所述第三光刻材料层材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司;张江国家实验室 一种硅光耦合端面的形成方法
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