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申请/专利权人：北京七星华创微电子有限责任公司
申请日：2024-05-23
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118226234A
主分类号：G01R31/28
分类号：G01R31/28
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及芯片测量技术领域，具体涉及一种高低温循环的芯片测试方法，该方法包括：获取芯片工作的电流时序数据，拟合获取电流数据拟合波形；设置时间窗口，对时间窗口的电流数据拟合波形的趋势变化周期特征进行分析，构建波形脉冲宽度凌乱系数；对时间窗口的电流数据拟合波形进行分解构建PR分量稠密程度；根据波形脉冲宽度凌乱系数的数据分布特征以及时间变化特征构建波形脉冲宽度序列走势系数；获取波形脉冲宽度序列翘度指数；构建高低温区间调控因子，实现对热流罩温度的控制，完成高低温循环的芯片测试。本发明旨在对不同品种芯片的高低温测试范围进行调控，对不同的芯片测试具有灵活性，能够对多种类芯片进行测试。
主权项：1.一种高低温循环的芯片测试方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：获取芯片工作的电流时序数据序列；对电流时序数据序列进行拟合获取电流数据拟合波形；设置时间窗口，对电流时序数据序列均匀划分获取各时间窗口的电流时序数据子序列；根据各时间窗口的电流数据拟合波形的趋势变化周期特征获取各时间窗口的波形脉冲宽度凌乱系数；对各时间窗口的电流数据拟合波形进行分解获取PR分量；根据各PR分量的数据分布获取各时间窗口的PR分量稠密程度；根据所有时间窗口的波形脉冲宽度凌乱系数的数据分布特征以及时间变化特征获取各时间窗口的波形脉冲宽度序列走势系数；根据各时间窗口的PR分量稠密程度以及波形脉冲宽度序列走势系数获取各时间窗口的波形脉冲宽度序列翘度指数；根据所有时间窗口的波形脉冲宽度序列翘度指数的分布获取高低温区间调控因子；根据高低温区间调控因子实现对热流罩温度的控制；完成高低温循环的芯片测试。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京七星华创微电子有限责任公司 一种高低温循环的芯片测试方法
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