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申请/专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日：2022-10-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN115802873B
主分类号：H10N60/01
分类号：H10N60/01;H10N60/12
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.03.31#实质审查的生效;2023.03.14#公开
摘要：本发明涉及基于金属掩膜刻蚀的ALD约瑟夫森结制备方法。包括：在衬底上定义下层金属掩膜图形，沉积金属薄膜，得到下层金属层；将底层金属掩膜图形转移到下层金属层，形成下层金属掩膜；去除下层金属掩膜表面的自然氧化层；在真空中器件原位传输到薄膜生长腔室一次性生长底层Al电极、ALDAl2O3势垒层、顶层Al电极，形成AlAl2O3Al约瑟夫森结；定义上层金属掩膜图形，沉积金属薄膜，得到上层金属层；将上层金属掩膜图形转移到上层金属层，形成上层金属掩膜，选择性刻蚀，形成下层金属掩膜约瑟夫森结（AlAl2O3Al）上层金属掩膜。本发明方法制备的约瑟夫森结电阻均匀性更好。
主权项：1.基于金属掩膜刻蚀的ALD约瑟夫森结制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a：在衬底上旋涂光刻胶，利用光刻技术定义出下层金属掩膜图形，然后沉积金属薄膜，得到下层金属层；步骤b：将下层金属掩膜图形转移到下层金属层，形成下层金属掩膜；步骤c：去除下层金属掩膜表面的自然氧化层；步骤d：然后在真空中将步骤c得到的器件原位传输到薄膜生长腔室一次性生长底层Al电极、ALDAl2O3势垒层、顶层Al电极，形成三层结构的AlAl2O3Al约瑟夫森结；步骤e：定义上层金属掩膜图形，然后沉积金属薄膜，得到上层金属层；定义上层金属掩膜图形的方式与定义下层金属掩膜图形的方式相同；步骤f：将上层金属掩膜图形转移到上层金属层，形成上层金属掩膜；步骤g：刻蚀下层金属掩膜和上层金属掩膜未保护的结构，形成五层结构：下层金属掩膜约瑟夫森结（AlAl2O3Al）上层金属掩膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 基于金属掩膜刻蚀的ALD约瑟夫森结制备方法
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