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申请/专利权人：英利能源发展有限公司
申请日：2022-06-15
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN115020507B
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.09.23#实质审查的生效;2022.09.06#公开
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种选择性钝化接触电池及其制备方法。所述电池包括N型硅片，所述N型硅片的正表面上设有硼发射极，在所述硼发射极上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅硼掺杂多晶硅叠层和正电极；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层和第二氮化硅层；在所述N型硅片的背表面上设有氧化硅磷掺杂多晶硅叠层，在所述氧化硅磷掺杂多晶硅叠层上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极，非栅线区域内为第一氮化硅层。本发明提供的选择性钝化接触电池，其正表面仅栅线区域下存在钝化接触结构，背表面整面预设钝化接触结构，显著降低吸光效应。
主权项：1.一种选择性钝化接触电池，其特征在于：包括N型硅片1，所述N型硅片1的正表面上设有硼发射极2，在所述硼发射极2上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅硼掺杂多晶硅叠层3和正电极4；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层5和第二氮化硅层6；在所述N型硅片1的背表面上设有氧化硅磷掺杂多晶硅叠层7，在所述氧化硅磷掺杂多晶硅叠层7上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极8，非栅线区域内为第一氮化硅层9。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英利能源发展有限公司 一种选择性钝化接触电池及其制备方法
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