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申请/专利权人：微芯片技术股份有限公司
申请日：2019-05-02
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112119511B
主分类号：H10N97/00
分类号：H10N97/00
优先权：["20180514 US 62/670,880","20180713 US 16/034,394"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.01.08#实质审查的生效;2020.12.22#公开
摘要：一种制造薄膜电阻器TFR模块的方法包括：在衬底上形成TFR元件；使所述TFR元件退火以减小所述TFR元件的电阻温度系数TCR；以及在形成该TFR元件并将其退火之后，形成与该TFR元件的相对侧接触的一对导电TFR头。通过在该TFR头之前形成该TFR元件，该TFR元件可以在不影响该TFR头的情况下进行退火，并且因此可以由具有不同退火特性的各种材料例如SiCCr和SiCr形成。因此，该TFR元件可以进行退火以实现接近0ppm的TCR，而不影响稍后形成的TFR头。可以使用镶嵌CMP方法并且仅使用单个添加的掩模层来形成该TFR模块。此外，可以去除或消除在该TFR元件边缘处竖直延伸的“脊”，以进一步改善该TCR性能。
主权项：1.一种用于在集成电路IC结构中制造薄膜电阻器TFR模块的方法，所述方法包括：在衬底上形成TFR元件，所述TFR元件包括从所述TFR元件的横向延伸区域向上延伸的TFR脊；执行退火工艺以减小所述TFR元件的电阻温度系数TCR；执行脊去除工艺以移除所述向上延伸的TFR脊；在去除了所述向上延伸的TFR脊的所述TFR元件上形成氧化层；执行通过所述氧化层的至少一次蚀刻以限定暴露a所述TFR元件的横向延伸区域的顶表面和b所述TFR元件的横向延伸区域的横向侧表面的开口；在所述开口中形成TFR头，其中所述TFR头导电地接触所述TFR元件的所述横向延伸区域的所述顶表面和所述横向侧表面两者。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 微芯片技术股份有限公司 集成电路中的薄膜电阻器及制造方法
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