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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2022-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251016A
主分类号：H10B61/00
分类号：H10B61/00;H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01;G11C11/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种存储器件，包括半导体层和在所述半导体层之上的堆叠结构。所述堆叠结构包括单元阵列区域和阶梯结构区域。所述单元阵列区域包括堆叠晶体管‑磁隧道结TMTJ元件的多个垂直层级和垂直延伸穿过所述堆叠结构的多个沟道结构。至少一个沟道结构包括垂直芯、垂直磁参考层和垂直隧道势垒层，所述垂直芯、所述垂直磁参考层和所述垂直隧道势垒层由与所述至少一个沟道结构相关联的一组磁隧道结MTJ元件共享。所述一组MTJ元件位于所述堆叠结构的不同垂直层级。
主权项：1.一种存储器件，包括：半导体层；在所述半导体层之上的堆叠结构，所述堆叠结构包括单元阵列区域，其中，所述单元阵列区域包括堆叠晶体管-磁隧道结TMTJ元件的多个垂直层级和垂直延伸穿过所述堆叠结构的多个沟道结构；并且至少一个沟道结构包括垂直芯、垂直磁参考层和垂直隧道势垒层，所述垂直芯、所述垂直磁参考层和所述垂直隧道势垒层由与所述至少一个沟道结构相关联的一组磁隧道结MTJ元件共享，所述一组MTJ元件位于所述堆叠结构的不同垂直层级。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器件及其形成方法
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