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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日：2024-03-15
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248802A
主分类号：H01L33/14
分类号：H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种氮化镓基半导体发光元件，涉及半导体光电器件技术领域，该氮化镓基半导体发光元件从下至上依次包括衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述量子阱层和n型半导体层之间具有V‑pits侧壁载流子注入层。该氮化镓基半导体发光元件，通过在量子阱层和n型半导体层之间形成V‑pits侧壁载流子注入层，通过对V‑pits侧壁载流子注入层中的各参数值范围的控制，以调控V‑pits侧壁载流子注入层的空穴输运效率和侧壁的空穴注入势垒高度，增强空穴隧穿效率和跃迁效率，增强大电流条件下载流子的量子限域效应，抑制载流子被缺陷和位错俘获几率，改善发光二极管的热衰退比例、效率衰减和老化漏电比例。
主权项：1.一种氮化镓基半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，其特征在于，所述量子阱层和n型半导体层之间具有V-pits侧壁载流子注入层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种氮化镓基半导体发光元件
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