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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248783A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/068
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种背接触太阳能电池及其制备方法，该背接触太阳能电池的制备方法包括：在衬底背面依次沉积本征多晶硅层和掩膜层；利用掩膜层形成隔离结构；在隔离结构的两侧分别进行掺杂离子扩散，以在本征多晶硅层形成P区和N区，其中，本征多晶硅层包括P区、N区和位于P区和N区之间且被隔离结构覆盖的隔离区；以及去除隔离结构。通过本申请能够提升背接触太阳能电池的的效率。
主权项：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在衬底背面依次沉积本征多晶硅层和掩膜层；利用所述掩膜层形成隔离结构；在所述隔离结构的两侧分别进行掺杂离子扩散，以在所述本征多晶硅层形成P区和N区，其中，所述本征多晶硅层包括所述P区、所述N区和位于所述P区和所述N区之间且被所述隔离结构覆盖的隔离区；以及去除所述隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 背接触太阳能电池及其制备方法
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