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申请/专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
申请日：2024-05-30
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118241313A
主分类号：C30B29/42
分类号：C30B29/42;C30B25/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供一种砷化镓生长装置，包括炉体、设于炉体底部的加热区、盖设于炉体开口处的盖体，所述炉体边侧布设有回流腔，回流腔连通至热能储存区，且回流腔与炉体内部通过若干气孔连通，以使炉体内部的热气可依次沿气孔、回流腔流入至热能储存区中进行存储，且当后一加工过程开始时，热能存储区中的热气反流至炉体中，对炉体内的物料进行预加热；本发明可增加砷化镓连续加工时的效率，并减少砷化镓加工时的能耗，同时避免人员烫伤。
主权项：1.一种砷化镓生长装置，其特征在于：包括炉体1、设于炉体1底部的加热区2、盖设于炉体1开口处的盖体3，所述炉体1边侧布设有回流腔4，回流腔4连通至热能储存区5，且回流腔4与炉体1内部通过若干气孔6连通，以使炉体1内部的热气可依次沿气孔6、回流腔4流入至热能储存区5中进行存储，且当后一加工过程开始时，热能存储区5中的热气反流至炉体1中，对炉体1内的物料进行预加热。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江康鹏半导体有限公司 一种砷化镓生长装置
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