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申请/专利权人：晶科能源(上饶)有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日：2024-04-08
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248790A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/042
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件。太阳能电池的制备方法，包括：提供基底；基底具有相背设置的第一表面和第二表面；定义第一表面和第二表面中的其中之一为目标表面；在基底的目标表面上形成第一隧穿层；在第一隧穿层背离目标表面的一侧形成初始多晶硅层；在初始多晶硅层背离第一隧穿层的一侧形成掺杂源层；采用激光以第一预设图案对掺杂源层进行图案化处理，以使初始多晶硅层对应于第一预设图案的第一部分转化为第一掺杂多晶硅层；去除掺杂源层；去除初始多晶硅层的第二部分；第二部分为初始多晶硅层除去第一部分以外的部分。可省去掩膜工艺的复杂过程，有利于提高太阳能电池的制造效率。
主权项：1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；其中，所述基底具有相背设置的第一表面和第二表面；定义所述第一表面和所述第二表面中的其中之一为目标表面；在所述基底的所述目标表面上形成第一隧穿层；在所述第一隧穿层背离所述目标表面的一侧形成初始多晶硅层；在所述初始多晶硅层背离所述第一隧穿层的一侧形成掺杂源层；采用激光以第一预设图案对所述掺杂源层进行图案化处理，以使所述初始多晶硅层对应于所述第一预设图案的第一部分转化为第一掺杂多晶硅层；去除所述掺杂源层；去除所述初始多晶硅层的第二部分；所述第二部分为所述初始多晶硅层除去所述第一部分以外的部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 晶科能源(上饶)有限公司;晶科能源股份有限公司 太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件
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