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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日：2022-10-24
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251362A
主分类号：B81B7/02
分类号：B81B7/02;H01H59/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本公开实施例提供了一种MEMS器件及电子设备，该MEMS器件包括：衬底基板；电极结构，位于衬底基板上，电极结构包括依次排列且间隔设置在衬底基板上的第一地电极、信号传输电极和第二地电极；金属膜桥，横跨信号传输电极上方且与信号传输电极形成空腔，金属膜桥的两端分别与第一地电极和第二地电极电连接；支撑结构，与金属膜桥固定设置，支撑结构的杨氏模量大于金属膜桥的杨氏模量。
主权项：一种MEMS器件，其中，包括：衬底基板；电极结构，位于所述衬底基板上，所述电极结构包括依次排列且间隔设置在所述衬底基板上的第一地电极、信号传输电极和第二地电极；金属膜桥，横跨所述信号传输电极上方且与所述信号传输电极形成空腔，所述金属膜桥的两端分别与所述第一地电极和所述第二地电极电连接；支撑结构，与所述金属膜桥固定设置，所述支撑结构的杨氏模量大于所述金属膜桥的杨氏模量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 一种MEMS器件及电子设备
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