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申请/专利权人：甬矽电子(宁波)股份有限公司
申请日：2024-05-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118264970A
主分类号：H04R31/00
分类号：H04R31/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种MEMS封装结构及其制备方法，涉及半导体封装结构技术领域。该MEMS封装结构包括基板、间隔设置在基板上且分别与基板电连接的硅麦芯片和控制芯片、设置在基板上且罩设于硅麦芯片和控制芯片外周的封装盖板，以及第一振膜；其中，封装盖板内设有进音腔，第一振膜设于进音腔内且与封装盖板连接，第一振膜将进音腔划分为沿第一方向排布的第一空腔和第二空腔，第一方向与基板的厚度方向平行；硅麦芯片和控制芯片分别位于第二空腔内，且分别与第一振膜具有间隙；封装盖板上设有与第一空腔连通的第一进音孔，基板上设有与第二空腔连通的第二进音孔。该MEMS封装结构能够两个方向进音，能够提高MEMS封装结构的应用场景的多样性。
主权项：1.一种MEMS封装结构，其特征在于，包括基板、间隔设置在所述基板上且分别与所述基板电连接的硅麦芯片和控制芯片、设置在所述基板上且罩设于所述硅麦芯片和所述控制芯片外周的封装盖板，以及第一振膜；其中，所述封装盖板内设有进音腔，所述第一振膜设于所述进音腔内且与所述封装盖板连接，所述第一振膜将所述进音腔划分为沿第一方向排布的第一空腔和第二空腔，所述第一方向与所述基板的厚度方向平行；所述硅麦芯片和所述控制芯片分别位于所述第二空腔内，且分别与所述第一振膜具有间隙；所述封装盖板上设有与所述第一空腔连通的第一进音孔，所述基板上设有与所述第二空腔连通的第二进音孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 甬矽电子(宁波)股份有限公司 MEMS封装结构及其制备方法
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