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申请/专利权人：中晶新源(上海)半导体有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248735A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/336;H01L23/367
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件的制作方法，包括提供一外延层；形成阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成源极多晶硅；形成隔离氧化层；形成栅极氧化层；沉积多晶硅并回刻，形成栅极多晶硅；设置掩膜层；蚀刻栅极多晶硅；去除掩膜层；进行离子注入，形成所述半导体功率器件。本发明通过使元胞不同位置的阈值电压不同，根据实际场景以及需求对元胞进行组合，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，可以选择部分区域不开启，此时器件本身电流不大，部分区域开启就可以完成工作，部分区域不开启对于整个器件而言功率密度减小，散热能力增强。
主权项：1.一种宽安全工作区的半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一外延层，在所述外延层上形成阻挡层；在所述外延层和阻挡层上进行蚀刻，形成沟槽；在所述沟槽的内部形成场氧化层；在所述沟槽的内部沉积多晶硅并回刻，形成源极多晶硅；蚀刻去除位于所述源极多晶硅上方的场氧化层；在所述源极多晶硅上方形成隔离氧化层；在所述隔离氧化层上方的沟槽侧壁形成栅极氧化层；在所述沟槽的内部沉积多晶硅并回刻，形成栅极多晶硅，所述栅极多晶硅的上表面与所述沟槽的开口处齐平；设置掩膜层，所述掩膜层覆盖第一区域，且掩膜层不覆盖第二区域；蚀刻所述第二区域内的栅极多晶硅，使所述第二区域内的栅极多晶硅的高度低于所述第一区域的栅极多晶硅的高度；去除掩膜层后，分别进行离子注入，形成源区和体区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种宽安全工作区的半导体功率器件及其制作方法
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