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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
申请日：2024-04-08
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118016733B
主分类号：H01L31/0216
分类号：H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本申请公开了一种太阳能电池以及太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。该太阳能电池包括：硅衬底、第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层、第一栅线、透明导电介质层和第一钝化层，所述第一掺杂多晶硅层分为第一栅线区域和第一非栅线区域，所述第一栅线位于所述第一栅线区域，所述透明导电介质层位于所述第一非栅线区域，所述透明导电介质层的带隙宽度与所述第一掺杂多晶硅层的带隙宽度不同。该太阳能电池通过在正面非栅线区域设置带隙宽度不同的第一掺杂多晶硅层和透明导电介质层，形成较大的能带偏移，降低反向饱和电流，有效提高电池钝化性能，透明导电介质层还可以降低正面遮光面积、减小接触电阻，有效提高电池转化效率。
主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底；第一隧穿氧化层，所述第一隧穿氧化层设置于所述硅衬底的受光面；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层设置于所述第一隧穿氧化层远离所述硅衬底的一面，所述第一掺杂多晶硅层分为第一栅线区域和第一非栅线区域，所述第一掺杂多晶硅层包括第一掺杂元素；第一栅线，所述第一栅线设置于所述第一掺杂多晶硅层远离所述第一隧穿氧化层的一面，且位于所述第一栅线区域；透明导电介质层，所述透明导电介质层设置于所述第一掺杂多晶硅层远离所述第一隧穿氧化层的一面，且位于所述第一非栅线区域，所述透明导电介质层的带隙宽度与所述第一掺杂多晶硅层的带隙宽度不同；第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述透明导电介质层上远离所述第一掺杂多晶硅层的一面；其中，所述第一栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度大于所述第一非栅线区域内所述第一掺杂元素的掺杂浓度，所述第一掺杂多晶硅层和所述透明导电介质层叠设形成异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 太阳能电池以及太阳能电池的制备方法
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