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申请/专利权人：厦门大学
申请日：2022-02-23
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN114597295B
主分类号：H01L33/08
分类号：H01L33/08;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2022.06.24#实质审查的生效;2022.06.07#公开
摘要：本发明公开了一种MiniMicroLED的芯片结构及制备方法，是通过Ar离子轰击p‑GaN层产生高阻区，ICP刻蚀时的沟槽位于高阻区内，从而使刻蚀后器件的四个侧壁均位于高阻区内；然后再在高阻区上制作宽度大于高阻区宽度的电流阻挡层。本发明从限制电流流向的角度出发，通过改变电流的流向，使其无法或尽量少的流向侧壁缺陷处，从而抑制因侧壁缺陷而产生的非辐射复合的发生。
主权项：1.一种MiniMicroLED的芯片结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）提供外延片，所述外延片包括按序设置的衬底、缓冲层、n-GaN层、多量子阱有源区和p-GaN层；2）于外延片p面上形成图案化的第一硬质掩膜层，所述图案化的第一硬质掩膜层具有第一窗口；采用Ar离子轰击第一窗口内的p-GaN层，形成高阻区；然后去除第一硬质掩膜层；3）于外延片p面上形成图案化的第二硬质掩膜层，所述图案化的第二硬质掩膜层具有第二窗口，所述第二窗口位于高阻区上，且第二窗口的宽度小于第一窗口；采用ICP蚀刻形成对应第二窗口的沟槽，沟槽深度至n-GaN层的部分厚度，以沟槽分隔出LED子单元，沟槽底部形成N台面；然后去除第二硬质掩膜层；4）于各子单元的p面上形成电流阻挡层，所述电流阻挡层设于高阻区上，且宽度大于高阻区的宽度；5）于各子单元的电流阻挡层内侧形成电流扩展层；6）沉积金属于N台面和各子单元的p面上，分别形成N电极和P电极；7）沉积钝化层，钝化层覆盖各子单元侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法
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