申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
申请日:2020-04-09
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN111816655B
主分类号:H01L27/092
分类号:H01L27/092;H01L21/8238
优先权:["20190412 US 62/833,464","20200302 US 16/806,978"]
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.06.25#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开
摘要:一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管和第一绝缘层。第一晶体管设置在第一层中并且包括第一栅极。第二晶体管设置在第一层上方的第二层中,并且包括第二栅极。第一栅极和第二栅极在第一方向上彼此分离。第一绝缘层设置在第一晶体管的第一栅极和第二晶体管的第二栅极之间。第一绝缘层配置为将第一晶体管的第一栅极与第二晶体管的第二栅极电绝缘。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
主权项:1.一种集成电路,包括:第一晶体管,设置在第一层中并包括第一栅极;第二晶体管,设置在所述第一层上方的第二层中并且包括第二栅极;其中,所述第一栅极和所述第二栅极在第一方向上彼此分离;以及第一绝缘层,设置在所述第一晶体管的所述第一栅极和所述第二晶体管的所述第二栅极之间,其中,所述第一绝缘层配置为将所述第一晶体管的所述第一栅极与所述第二晶体管的所述第二栅极电绝缘;第一导电段和不同于所述第一导电段的第二导电段,设置在所述第二层上方的第三层中;第一通孔,耦合在所述第一导电段和所述第一晶体管的所述第一栅极之间,并配置为将第一控制信号从所述第一导电段传输到所述第一晶体管的所述第一栅极;和第二通孔,耦合在所述第二导电段和所述第二晶体管的所述第二栅极之间,并配置为将不同于所述第一控制信号的第二控制信号从第二导电段传输到所述第二晶体管的所述第二栅极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路及其形成方法
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