申请/专利权人：光微半导体材料(宁波)有限公司

申请日：2023-09-11

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN117701923B

主分类号：C22C1/02

分类号：C22C1/02;C22C21/02;B22D1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明涉及高纯铝硅合金材料的制备技术领域，具体为一种高纯材料晶粒细化方法，通过设置至少两组的超声发生器，使得超声发生器分别位于金属熔体上部和下部，利用上、下部超声发生器的交替发出超声波，利用上部的超声发生器发出超声波，引动金属熔体发生空化效应与声流效应，使得金属熔体中的H2气体不断的汇聚，而下部的超声发生器发出超声波，则是将位于金属熔体下部的再次通过声流效应向上导向排出，上、下部的超声发生器配合在金属熔体内部形成定向的声流效应，提升金属熔体内部H2气体排净率，进而提升材料的晶粒细化等级。

主权项：1.一种高纯材料晶粒细化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、材料热熔，采用上口外径为φ的坩埚炉熔化铝硅合金，得到熔融状态的金属熔体，控制金属熔体温度在740-750℃，其中铝硅合金的成分包括硅11-13％、铜≤0.18％、锰≤0.55％、镁≤0.4％、铁0.45-0.9％、锌≤0.3％、钛≤0.15％、锡≤0.01％、铅≤0.05％，余量为铝；步骤二、预热声源，将至少两组的超声波发生器与金属熔体液面接触进行预热15-20min，升温至在720-740℃；步骤三、放置声源，预热完成的超声波发生器通过超声波变幅杆插入到金属熔体内部，且相邻的超声波发生器呈间隔设置于金属熔体的上、下部，位于上部的超声发生器设置于金属熔体液面下20-40mm的位置处，朝下发出超声波，位于下部的超声发生器设置于金属熔体底部上方20-40mm的位置处，朝上发出超声波；超声发生器设置为两组，两组的超声发生器围绕金属熔体的中心轴设置于中心轴的两侧，且该超声发生器与金属熔体的中心轴垂直线形成夹角α，150°≤α≤165°；位于金属熔体中心轴两侧的超声发生器均位于靠近金属熔体中心轴16-110φ的位置处；步骤四、超声处理，金属熔体保温至740℃，超声波发生器对合金熔体进行1min的超声波处理，超声波处理的功率为800-1100W，频率在19.4-19.9kHz，处理过程中，超声发生器围绕金属熔体的中心轴旋转，旋转角度≥360°，且发出超声波时，位于上部的超声发生器与位于下部的超声发生器交替发出超声波；步骤五、除渣，通过清渣剂去除步骤四得到的金属熔体中表面的浮渣。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 光微半导体材料(宁波)有限公司 一种高纯材料晶粒细化方法

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