龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2024-05-09
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263124A
主分类号：H01L21/335
分类号：H01L21/335;H01L29/778;H01L29/36;H01L29/207;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法。降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法，其特征在于，包括提供外延结构，所述外延结构包括由沟道层和势垒层形成的异质结，所述势垒层与所述沟道层之间的界面形成有载流子沟道；至少除去位于所述外延结构欧姆区域的势垒层，在暴露在欧姆区域的所述沟道层上溅射形成重掺杂的N型半导体接触层，所述重掺杂的N型半导体接触层与所述载流子沟道电连接；在所述重掺杂的N型半导体接触层上制作源极、漏极，所述源极、所述漏极与所述重掺杂的N型半导体接触层形成欧姆接触。本发明利用重掺杂的N+‑GaN与二维电子气直接接触，避免金属电极与2DEG沟道形成接触势垒，因而可以获得较低的接触电阻。
主权项：1.一种降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法，其特征在于，包括：提供外延结构，所述外延结构包括由沟道层和势垒层形成的异质结，所述势垒层与所述沟道层之间的界面形成有载流子沟道；至少除去位于所述外延结构欧姆区域的势垒层，在暴露在欧姆区域的所述沟道层上溅射形成重掺杂的N型半导体接触层，所述重掺杂的N型半导体接触层与所述载流子沟道电连接；在所述重掺杂的N型半导体接触层上制作源极、漏极，所述源极、所述漏极与所述重掺杂的N型半导体接触层形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号