龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263224A
主分类号：H01L23/538
分类号：H01L23/538;H01L21/60;H01L21/50
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种基于嵌入式桥连结构的多芯片集成结构及其制造工艺，多芯片集成结构包括：至少两个芯片，每个芯片均具有一硅晶圆衬底；线路层，在硅晶圆衬底上形成；基础走线层，在每个芯片上方的线路层之上制得；芯片桥连层，在位于两个芯片之间的中间区域上方的线路层之上制得，实现芯片之间的高密度电气互连；过孔层，直接在所述基础走线层和所述芯片桥连层之上制得；顶层金属层，位于所述过孔层之上，用于与外部电信号相连，且对应于所述特定区域处打开开口。本发明基于嵌入式桥连结构的多芯片互连结构，通过在芯片制程的前端，将两个以上需要互连的芯片之间区域上方高密度互连结构，使产品精度更高，且可实现高速互连，制备过程中的可靠性更高。
主权项：1.一种基于嵌入式桥连结构的多芯片集成结构，其特征在于：包括：至少两个芯片，每个芯片均具有一硅晶圆衬底，且所述硅晶圆衬底包含P-分子外延层，表面含有浅沟槽和多晶硅栅极；线路层，由在硅晶圆衬底上通过制备金属层和氧化绝缘层形成，并在特定区域内开窗；基础走线层，在每个芯片上方的线路层之上制得，且具有第一尺寸和间距的金属布线层和过孔，且基础走线层具有多层；芯片桥连层，在位于两个芯片之间的中间区域上方的线路层之上制得，且具有第二尺寸和间距的金属布线层和过孔，所述第二尺寸和间距小于所述第一尺寸和间距，使至少两个所述芯片在特定区域实现高密度电气互连，且芯片桥连层具有多层；过孔层，位于每层所述基础走线层和每层所述芯片桥连层之上，且具有第三尺寸和间距的金属布线层和过孔，所述第三尺寸和间距按所述第二尺寸和间距进行确定；顶层金属层，位于最上层的所述过孔层之上，用于与外部电信号相连，且对应于所述特定区域处打开开口；无机或有机绝缘层，位于所述顶层金属层之上，利用薄膜沉积工艺或涂敷工艺在顶层金属层上制备而得，并对应于所述特定区域处打开开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门云天半导体科技有限公司 一种基于嵌入式桥连结构的多芯片集成结构及其制造工艺
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号