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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开涉及射频半导体器件及用于制作射频半导体器件的方法。提供了一种用于处理操作频率范围内的RF信号的射频RF半导体器件，包括：半导体芯片，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及侧壁，半导体芯片包括有源芯片区域；再分布层，包括第一侧，再分布层的第一侧面向半导体芯片的第一表面；有源芯片区域外部的RF吸收层，其中RF吸收层包括掺杂半导体材料。
主权项：1.一种射频RF半导体器件100，用于处理操作频率范围内的RF信号，所述RF半导体器件100包括：半导体芯片102，包括第一表面104、与所述第一表面104相对的第二表面106以及侧壁108，所述半导体芯片102包括有源芯片区域；再分布层110，包括第一侧114，所述再分布层110的所述第一侧114面向所述半导体芯片102的所述第一表面104；RF吸收层122，在所述有源芯片区域外部，其中所述RF吸收层122包括掺杂半导体材料，使得所述RF吸收层122的耗散因子在所述操作频率范围内等于或大于0.1。
全文数据：
权利要求：
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