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一种碳化硅衬底的加工方法 

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申请/专利权人:中国电子科技集团公司第四十八研究所

摘要:本发明公开了一种碳化硅衬底的加工方法,包括以下步骤:步骤S1、提供碳化硅衬底,将碳化硅衬底置于高温氧化炉中高温氧化,使碳化硅衬底表面氧化形成二氧化硅薄膜;步骤S2、对表面氧化后的碳化硅衬底进行研磨加工。本发明具有原理简单、操作便捷、通用性强等优点,通过采用先氧化再研磨的方法,有效解决了碳化硅衬底加工难的问题,并提高了碳化硅衬底的研磨加工效率及延长了研磨片的使用寿命,有利于大规模商业化生产应用。

主权项:1.一种碳化硅衬底的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、提供碳化硅衬底,将碳化硅衬底置于高温氧化炉中高温氧化,使碳化硅衬底表面氧化形成二氧化硅薄膜;步骤S2、对表面氧化后的碳化硅衬底进行研磨加工。

全文数据:

权利要求:

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