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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、钝化接触结构的制备方法及太阳能电池，钝化接触结构的制备方法包括以下步骤：在硅基片上制备隧穿氧化硅层；在隧穿氧化硅层上沉积本征非晶硅层；对层叠有隧穿氧化硅层和本征非晶硅层的硅基片进行预退火；在预退火后的本征非晶硅层上沉积掺杂非晶硅层；对沉积有隧穿氧化硅层、本征非晶硅层及掺杂非晶硅层的硅基片进行退火，形成层叠于隧穿氧化层上的掺杂多晶硅层。如此，在沉积本征非晶硅层后，引入一个预退火的操作，以打开一些隧穿氧化硅层的孔洞，辅助载流子的传输，提高钝化接触结构的钝化性能。
主权项：1.一种太阳能电池钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅基片上制备隧穿氧化硅层；在所述隧穿氧化硅层上沉积本征非晶硅层；对层叠有所述隧穿氧化硅层和所述本征非晶硅层的所述硅基片进行预退火；在预退火后的所述本征非晶硅层上沉积掺杂非晶硅层；对沉积有所述隧穿氧化硅层、所述本征非晶硅层及所述掺杂非晶硅层的所述硅基片进行退火，形成层叠于所述隧穿氧化层上的掺杂多晶硅层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 太阳能电池制备方法、钝化接触结构的制备方法及太阳能电池
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