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申请/专利权人：中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司;中钢宁夏耐研滨河新材料有限公司
摘要：一种低硼含量反应烧结碳化硅材料的装炉方法，其为：将炭黑和Si3N4细粉均匀包覆在单质硅颗粒表面，得到表面有包覆层的硅颗粒；采用Si3N4结合碳化硅耐火制品作为坯体烧结的承载部件；将坯体放置在承载部件上，将表面有包覆层的硅颗粒掩埋在坯体上表面，对于大尺寸圆环状坯体，有包覆层的硅颗粒填装在中空圆环状承载部件与坯体侧面之间的空间内，硅颗粒与坯体内侧面或外侧面直接接触；将坯体、Si3N4结合碳化硅承载部件和有包覆层的硅颗粒组成的组合件装入或移入真空炉中高温烧成，冷却后移开承载部件，清除硅颗粒残留物，可得到低硼含量反应烧结碳化硅材料。由于装炉中未使用BN等含硼原料，完全避免了烧成过程中B元素高温挥发渗入反应烧结碳化硅坯体中的可能，所得反应烧结碳化硅材料中B元素含量小于0.02wt%。
主权项：1.一种低硼含量反应烧结碳化硅的装炉方法，其特征在于：1）对单质硅颗粒表面进行包覆处理：将炭黑和Si3N4细粉均匀附着在单质硅颗粒表面，得到表面包覆炭黑和Si3N4的硅颗粒；硅颗粒包覆处理过程为：将单质硅颗粒、炭黑、Si3N4细粉混合均匀，加入适量液态结合剂溶液，混合均匀，然后干燥处理，使炭黑和Si3N4细粉牢牢粘附于单质硅颗粒表面，形成带包覆层的单质硅颗粒；2）坯体烧结的承载部件采用Si3N4结合SiC耐火制品，承载部件依据坯体形状相应选择平板、坩埚、匣钵、中空圆环等不同形状的耐火制品；3）坯体采用有包覆层的单质硅颗粒掩埋，对于平板状坯体，单质硅颗粒铺装在坯体上方，对于大尺寸圆环状坯体，单质硅颗粒填装在中空圆环状承载部件与坯体内侧或外侧面之间的空间内。
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