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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种分离电流通路的平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，包括在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，向漂移层进行离子注入，形成分流区、阻挡区、阱区以及突起部；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，向阱区进行离子注入，形成N型源区及P型源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，淀积绝缘介质，形成栅介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，通过对器件的结构设计提高器件的UIS抗性，以提高器件抗雪崩击穿能力，并抑制漏极电压尖峰对器件栅极介质的冲击。
主权项：1.一种分离电流通路的平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；步骤2、在漂移层上形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成分流区；步骤3、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成阻挡区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成阱区以及突起部；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，向阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，向阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，淀积绝缘介质，形成栅介质层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层，形成通孔，淀积金属，形成源极金属层。
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权利要求：
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