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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种IGBT器件及其制作方法，涉及半导体制造领域。其中制作方法包括：S101：在形成有JTE结构的衬底的漂移区内进行场环注入，以形成间距设置的多个场限环；S102：在衬底上依次沉积形成第一氧化层和氮化硅层；S103：在JTE结构和与其相邻的场限环之间，以及每相邻的两个场限环之间形成浅沟槽隔离；S104：在浅沟槽隔离表面形成热氧化层；S105：在浅沟槽隔离内形成致密氧化层；S106：去除氮化硅层，并去除高于第一氧化层的致密氧化层；S107：进行后续工艺步骤，以形成IGBT器件；通过浅沟槽隔离的设置，相较于现有技术，具有更好的隔离效果。
主权项：1.一种IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括：S101：在形成有JTE结构111的衬底1的漂移区11内进行场环注入，以形成间距设置的多个场限环112；S102：在所述衬底1上依次沉积形成第一氧化层12和氮化硅层13；S103：在所述JTE结构111和与其相邻的场限环112之间，以及每相邻的两个所述场限环112之间形成浅沟槽隔离113；S104：在所述浅沟槽隔离113表面形成热氧化层114；S105：在所述浅沟槽隔离113内形成致密氧化层14；S106：去除所述氮化硅层13，并去除高于所述第一氧化层12的致密氧化层14；S107：进行后续工艺步骤，以形成所述IGBT器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种IGBT器件及其制作方法
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