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申请/专利权人：中国科学技术大学;合肥国家实验室
摘要：本发明提供了一种用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片，涉及量子技术领域。量子芯片的片上滤波器包括：基片；第一导电层，包括在基片上设置的第一微带线电极；第一绝缘层，设置在第一导电层上；以及第二导电层，设置在第一绝缘层上，包括：第二微带线电极，与多个第一微带线电极对置，以通过第一绝缘层与第一微带线电极构成电容元件；以及纳米线电极，与第二微带线电极电连接，采用高动态电感材料制备，在环境温度低于高动态电感材料的超导转变温度的情况下，纳米线电极具有超导特性并作为电感元件，与电容元件配合形成滤波单元，对来自外部的电磁波进行选择性的传输，减少特定频率区间内的电磁波泄露。
主权项：1.一种用于量子芯片的片上滤波器，其特征在于，包括：基片；第一导电层，包括在所述基片上设置的第一微带线电极；第一绝缘层，设置在所述第一导电层上；第二导电层，设置在所述第一绝缘层上，包括：第二微带线电极，与多个所述第一微带线电极对置，以通过所述第一绝缘层与所述第一微带线电极构成电容元件；纳米线电极，与所述第二微带线电极电连接，采用高动态电感材料制备，在环境温度低于所述高动态电感材料的超导转变温度的情况下，所述纳米线电极具有超导特性并作为电感元件，与所述电容元件配合形成滤波单元，对来自外部的电磁波进行选择性的传输，减少所述电磁波泄露。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 合肥国家实验室 用于量子芯片的片上滤波器及其制备方法、量子芯片
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