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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了电容器结构和包括电容器结构的半导体器件。所述电容器结构包括：下电极，所述下电极位于衬底上；支撑层，所述支撑层位于所述下电极的侧壁上，并且包括绝缘材料；界面结构，所述界面结构具有第一界面图案和第二界面图案，所述第一界面图案位于所述下电极的侧壁上，并且包括第一金属，所述第二界面图案包括位于所述第一界面图案的外侧壁上的第一部分和位于所述支撑层的表面上的第二部分，并且包括第二金属的氧化物；电介质图案，所述电介质图案位于所述界面结构上；以及上电极，所述上电极位于所述电介质图案上，其中所述第二界面图案的所述第二部分还包括所述第一金属。
主权项：1.一种电容器结构，所述电容器结构包括：下电极，所述下电极位于衬底上；支撑层，所述支撑层位于所述下电极的侧壁上，所述支撑层包括绝缘材料；界面结构，所述界面结构位于所述下电极上，并且包括：第一界面图案，所述第一界面图案位于所述下电极的侧壁上，并且包括第一金属，以及第二界面图案，所述第二界面图案位于所述第一界面图案上并包括第二金属的氧化物，并且包括在所述第一界面图案的外侧壁上的第一部分和从所述第一部分沿着所述支撑层的表面延伸的第二部分，并且所述第二部分包括所述第一金属；电介质图案，所述电介质图案位于所述界面结构上；以及上电极，所述上电极位于所述电介质图案上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 电容器结构和包括电容器结构的半导体器件
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