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申请/专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
摘要：本申请公开了一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池，涉及光伏电池领域。一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法，包括以下步骤：在第一温度下，在硅基底上形成隧穿氧化层；使所述第一温度降温至第二温度；在所述第二温度下，在所述隧穿氧化层上形成非晶硅层；使所述第二温度升温至第三温度；在所述第三温度下，在所述非晶硅层上形成多晶硅层。本申请实施例能够提高沉积速率，缩短工艺时间，降低生产成本。
主权项：1.一种太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一温度下，在硅基底上形成隧穿氧化层；使所述第一温度降温至第二温度；在所述第二温度下，在所述隧穿氧化层上形成非晶硅层；使所述第二温度升温至第三温度；在所述第三温度下，在所述非晶硅层上形成多晶硅层。
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百度查询： 滁州捷泰新能源科技有限公司 太阳能电池的多晶硅层结构的制备方法及太阳能电池
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