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申请/专利权人：杭州积海半导体有限公司

摘要：本发明提供一种MOS器件及其形成方法，MOS器件包括设置在衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧的衬底中的源极和漏极，所述栅极结构由下至上依次包括栅氧层和多晶硅栅极，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层和第二栅氧层邻接设置在所述衬底上，且所述第一栅氧层靠近所述源极设置，所述第一栅氧层的厚度小于所述第二栅氧层的厚度，所述第二栅氧层远离所述源极的一侧与所述漏极重叠设置，从而形成不对称栅氧层，并使得GIDL效应易发区域附近的栅氧层厚度较厚，从而降低了GIDL效应，同时并没有降低MOS器件的整体开关速度。

主权项：1.一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：方案一：提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅氧膜层和多晶硅膜层，所述栅氧膜层包括第一部分和第二部分；在所述多晶硅膜层上形成图形化的光刻胶层，以所述图形化的光刻胶层为掩模，通过离子注入工艺对所述第二部分进行氟元素注入，再以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述多晶硅膜层，以形成多晶硅栅极；通过热氧化工艺，在氧环境下的所述多晶硅栅极表面形成了第一氧化层，同时增厚处理所述第二部分的厚度增加，以在所述第一部分形成第一栅氧层，并在所述第二部分形成第二栅氧层；在所述第一氧化层上形成第一氮化层、第二氧化物层和第二氮化层，并依次刻蚀所述第二氮化层、第二氧化物层、第一氮化层和第一氧化层，以形成侧墙结构；刻蚀所述第一栅氧层和第二栅氧层，以暴露出所述侧墙结构外侧的衬底，从而形成栅极结构；或者，方案二：提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅氧膜层和多晶硅膜层，所述栅氧膜层包括第一部分和第二部分；在所述多晶硅膜层上形成图形化的光刻胶层，并以所述图形化的光刻胶层为掩模刻蚀所述多晶硅膜层，以形成多晶硅栅极，再以所述图形化的光刻胶层为掩模，通过离子注入工艺对所述第二部分进行氟元素注入；通过热氧化工艺，在氧环境下的所述多晶硅栅极表面形成了第一氧化层，同时增厚处理所述第二部分的厚度增加，以在所述第一部分形成第一栅氧层，并在所述第二部分形成第二栅氧层；在所述第一氧化层上形成第一氮化层、第二氧化物层和第二氮化层，并依次刻蚀所述第二氮化层、第二氧化物层、第一氮化层和第一氧化层，以形成侧墙结构；刻蚀所述第一栅氧层和第二栅氧层，以暴露出所述侧墙结构外侧的衬底，从而形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底中分别形成源极和漏极，其中，所述第一栅氧层靠近所述源极设置，所述第二栅氧层远离所述源极的一侧与所述漏极重叠设置。

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