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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在实施例中，一种集成电路器件包括：中介层；第一集成电路器件，利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；第二集成电路器件利用介电对介电接合和金属对金属接合与中介层接合；缓冲层，围绕第一集成电路器件和第二集成电路器件，缓冲层包括具有第一杨氏模量的应力降低材料；以及密封剂，围绕缓冲层、第一集成电路器件和第二集成电路器件，密封剂包括具有第二杨氏模量的模制材料，第一杨氏模量小于第二杨氏模量。在一些实施例中，本发明还提供了集成电路器件及其形成方法。
主权项：1.一种形成集成电路器件的方法，包括：利用介电对介电接合并利用金属对金属接合将第一集成电路器件和第二集成电路器件的背侧接合到中介层上；在所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件周围形成应力降低材料，所述应力降低材料具有第一杨氏模量，其中，所述应力降低材料从所述第一集成电路器件横向连续延伸至直接接触所述第二集成电路器件；利用模制材料包封所述应力降低材料、所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件，所述模制材料具有第二杨氏模量，所述第一杨氏模量小于所述第二杨氏模量；以及使所述模制材料减薄以暴露所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件，其中，所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件具有锥形侧壁，所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的宽度沿着从所述第一集成电路器件和第二集成电路器件的所述背侧延伸到所述第一集成电路器件和第二集成电路器件的前侧的方向上增加，并且其中，所述应力降低材料至少部分地设置在所述中介层与所述第一集成电路器件和第二集成电路器件中的每个之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路器件及其形成方法
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