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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明涉及一种RC‑IGBT器件及其制作方法。所述RC‑IGBT器件中，衬底包括相邻的IGBT形成区和FRD形成区，所述衬底正面形成有横跨所述IGBT形成区和所述FRD形成区的体区、对应于所述IGBT形成区形成的栅极以及位于所述栅极两侧的源区，所述FRD形成区的衬底内形成有具有局部浓度分布的铂掺杂低寿命区。所述铂掺杂低寿命区可以对RC‑IGBT器件中的FRD进行载流子寿命控制，既具有扩铂所具有的复合中心能级位置优化以及高温稳定性好的优点，还具有感生缺陷局部浓度分布所具有的复合中心密度空间分布优化的优点，可以对FRD进行载流子寿命控制以优化FRD性能，并且对IGBT不会造成不良影响，有助于提升RC‑IGBT器件的综合性能。
主权项：1.一种RC-IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相背的正面和背面且包括相邻的IGBT形成区和FRD形成区；在衬底正面形成横跨所述IGBT形成区和所述FRD形成区的体区、对应于所述IGBT形成区形成的栅极以及位于所述栅极两侧的源区，并在所述衬底上覆盖层间介质层，所述衬底内还具有对应于所述FRD形成区且位于所述体区下方的二极管基区；在对应于所述FRD形成区的所述层间介质层中形成第一接触孔，所述第一接触孔暴露出所述FRD形成区的部分所述衬底表面；在被暴露的所述衬底表面形成铂硅合金层；在所述第一接触孔中从所述正面对所述FRD形成区的所述衬底进行轻离子注入，在所述FRD形成区的所述衬底内形成具有局部浓度分布的感生缺陷，所述局部浓度分布的感生缺陷的峰值浓度位置包括对应于所述FRD形成区位于所述体区内的第一峰值浓度位置和位于所述二极管基区内的第二峰值浓度位置，所述第一峰值浓度位置和所述第二峰值浓度位置距离所述体区与第二导电类型基区的界面大于0；以及进行铂扩散退火，使所述铂硅合金层中的铂向所述FRD形成区的所述衬底扩散并被所述感生缺陷吸取，在所述FRD形成区的所述衬底内形成具有局部浓度分布的铂掺杂低寿命区。
全文数据：
权利要求：
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