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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心
摘要：本发明公开了一种改进型场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管包括掺杂类型为第一类型的源区、漏区和漂移区，掺杂类型为第二类型的衬底、外延层和阱区，第一沟槽、第二沟槽，栅介质、隔离介质、栅极、源极和漏极。通过在漂移区中形成填满第一沟槽和第二沟槽的凸形隔离介质，实现了对器件体内电场分布的有效调制，可以明显减小靠近源、漏两端的电场峰值，进而提升器件耐压。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。
主权项：1.一种改进型场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底之上；漂移区，位于所述外延层之中；第二沟槽，位于所述漂移区之中；第一沟槽，位于所述第二沟槽底部，与第二沟槽相连通，第一沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度；阱区，位于所述外延层之中，毗邻所述漂移区；源区，位于所述阱区之中；漏区，位于所述漂移区之中；栅介质，位于所述外延层之上，栅介质的一侧位于源区之上，另一侧位于漂移区之上；栅极，位于所述栅介质之上，栅极宽度小于栅介质宽度，栅极的一侧位于源区之上，另一侧位于漂移区之上；隔离介质，位于所述栅介质和栅极两侧及之上、外延层之上、第一沟槽和第二沟槽之中；第一沟槽和第二沟槽之中的隔离介质定义为凸形隔离介质；源极，位于所述外延层之上，与所述隔离介质毗邻；漏极，位于所述外延层之上，与所述隔离介质毗邻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京第三代半导体技术创新中心 改进型场效应晶体管及其制造方法
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