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申请/专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
摘要：本发明公开了一种提升锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法，器件中间结构包括：设于半导体层表面上的顶层介质层，和设于顶层介质层表面上且底面位于半导体层表面下方的过渡外延窗口，其包括位于顶层介质层中的第一窗口部，和对应位于半导体层中的第二窗口部，第二窗口部的第二横向尺寸大于第一窗口部的第一横向尺寸，形成内嵌空腔结构；第二横向尺寸与第一横向尺寸之间差值，与后续进行外延前处理工艺时对第一窗口部侧壁造成的过刻蚀量对应，以在过渡外延窗口基础上进一步形成满足使第一横向尺寸与第二横向尺寸趋于一致要求的最终外延窗口。本发明能有效减小锗外延缺陷与位错密度，由此能减小光电探测器暗电流，提升硅光芯片性能。
主权项：1.提升锗外延工艺质量的器件中间结构，其特征在于，包括：半导体层；设于所述半导体层表面上的顶层介质层；设于所述顶层介质层表面上且底面位于所述半导体层表面下方的过渡外延窗口；所述过渡外延窗口包括位于所述顶层介质层中的第一窗口部，和对应位于所述半导体层中的第二窗口部，所述第二窗口部的第二横向尺寸大于所述第一窗口部的第一横向尺寸，从而在所述第一窗口部下方形成内嵌空腔结构；其中，所述第二横向尺寸与所述第一横向尺寸之间差值，与后续进行外延前处理工艺时对所述第一窗口部侧壁造成的过刻蚀量对应。
全文数据：
权利要求：
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