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申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及用于超声成像的高密度PMUT阵列架构。PMUT包括被掺杂并且具有形成在其中的多个导电过孔的衬底，每个导电过孔由衬底的部分形成，该衬底的部分从衬底的后侧完全延伸到衬底的前侧并且被绝缘结构环绕，该绝缘结构将衬底的部分与衬底的其他部分电隔离。绝缘层被堆叠在衬底的前侧上并且其中具有在多个导电过孔之上所限定的通孔。互联层被堆叠在绝缘层上并且被电连接到多个导电过孔。膜由互联层和下伏衬底承载，该膜成形以便腔体。压电堆叠被形成在位于腔体之上的膜上并且被配置为响应于交流电压到压电堆叠的施加来使得膜振动。
主权项：1.一种包括压电微机械超声换能器PMUT的设备，所述PMUT包括：衬底，所述衬底具有形成在其中的多个导电过孔，每个导电过孔包括所述衬底的部分，所述衬底的所述部分从所述衬底的后侧完全延伸到所述衬底的前侧并且被绝缘结构环绕，所述绝缘结构将所述衬底的所述部分与所述衬底的其他部分电隔离；绝缘层，所述绝缘层被堆叠在所述衬底的所述前侧上并且具有在所述多个导电过孔之上限定的在所述绝缘层中的通孔；互联层，所述互联层被堆叠在所述绝缘层上并且被直接电连接到所述多个导电过孔；膜，所述膜由所述互联层和下伏衬底承载，所述膜被成形以界定由所述膜在顶侧和侧壁上限定并且由所述绝缘层在底侧上限定的腔体；以及压电堆叠，所述压电堆叠被形成在位于所述腔体上方的所述膜上，并且被配置为响应于交流电压向所述压电堆叠的施加来使得所述膜振动。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 用于超声成像的高密度PMUT阵列架构
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