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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体元件及其作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一鳍状结构于基底上，然后形成一第一凹槽以及一第二凹槽于该鳍状结构内，形成一第一介电层于该第一凹槽以及该第二凹槽内，去除部分该第一介电层，形成一第二介电层于该第一凹槽以及该第二凹槽内以形成一第一单扩散隔离结构以及一第二单扩散隔离结构，再形成一栅极结构于该鳍状结构、该第一单扩散隔离结构以及一第二单扩散隔离结构上。
主权项：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成鳍状结构于基底上；形成第一凹槽以及第二凹槽于该鳍状结构内；形成第一介电层于该第一凹槽以及该第二凹槽内；去除部分该第一介电层；形成第二介电层于该第一凹槽以及该第二凹槽内以形成第一单扩散隔离结构以及第二单扩散隔离结构；以及形成栅极结构于该鳍状结构、该第一单扩散隔离结构以及第二单扩散隔离结构上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体元件及其作方法
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